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μ PA679TB
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1.2
1
Pulsed
1.2
1
I D = 0.30 A
Pulsed
V GS = 2.5 V, I D = 0.15 A
0.8
0.6
0.4
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 4.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.5 V, I D = 0.30 A
0.2
0
- 50
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
12
T ch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1.2
1
0.8
0.6
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 4.5 V
Pulsed
1.2
1
0.8
0.6
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 4.0 V
Pulsed
0.4
0.2
0
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE
VOLTAGE
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 2.5 V
Pulsed
100
10
1
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16615EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
5
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